芯片制备技术是基于许多制造半导体部件的完整工艺步骤之上的，包括氧化、扩散、离子注入、沉积、光刻和刻蚀等，所有的工艺流程都与真空密切关联。

材料准备

所有制备技术都是以单晶硅(通常为圆柱体)为起点，切割成硅晶圆。如图，业界常用英寸表示晶圆大小(1寸约为25mm)，我们经常听到的8寸代工厂场、12寸代工厂场等所指的都是使用的硅晶圆材料的直径。

硅晶圆

氧化

主要是在硅晶圆的表面形成二氧化硅(SiO2)的工艺。

氧化层为介质，不导电，可作为导电层之间的隔离层

氧化层可以保护其覆盖的材料免受污染

较薄的氧化层(100-1000埃)通常使用干氧化工艺，1埃=0.1纳米

较厚的氧化层(>1000埃)通常使用湿氧化工艺